黑磷拥有蜂窝状的褶皱片层结构,并且是直接带隙半导体材料,热力学稳定。作为一种新型的二维材料,黑磷可剥离成片层。二维黑磷可克服石墨烯以及过渡族金属硫化物的不足,并有独特的微观结构和物理化学性质,有望成为良好的二维半导体材料,并在未来的光电子领域中大显身手。

白磷、红磷、黑磷 是磷的三种同素异形体，三位虽然是一家人，但各自的结构特征有很大的差别。

黑磷最早是由白磷为原料，在高温高压的条件下（1.2GPa,200℃）制备。由于白磷向黑磷的转化过程较短，并且存在明显的体积变化，因此利用高温高压生成的黑磷为黑磷的多晶体并且存在许多的裂纹。

由于高压的方法制备黑磷的实验条件较为苛刻，科研工作者发现利用汞催化或利用Bi蒸汽促进重结晶也可以生成黑磷。

然而以上所出的方法产率较低并且毒性较大，因此难以进行工业上的大范围的生产。

现如今主要是在气相生长过程中添加矿物作为反应的促进剂从而生成黑磷，例如SnI4、Cu2P20等。在红磷向黑磷的相变过程中可能会伴随着包括红磷以及Au3SnP7等副产物的生成。利用以上的方法生长的黑磷晶体很快会被氧化且价格相当昂贵，难以大面积进行应用研发。

自2007年发表在Advanced materials上的一篇文章开始，Hun-Joon Sohn等人以红磷为原材料在常温常压下通过高能球磨法得到了黑磷，这种制备方法条件较为简单可控，成本低效率高，副反应少且无毒害。使用行星式球磨法制备黑磷成为更普遍的选择。

1.红磷到黑磷的转换需要高频的撞击和高能量的输入；

2.制备过程中可能有白磷生成，研磨需要惰性气体环境；

3.高温压的环境需要非常稳定的密封及锁紧系统；

4.球磨设备能够长时间稳定的运转；

转速的需求：

不同的转速会影响黑磷的产率及所需研磨时间，当转速超过800rpm时，研磨12个小时即可有黑磷相产生，但在400rpm转速下，需要研磨50h以上才能得到黑磷。

研磨介质的选择：

实验环境：

为了保证实验的安全，请务必使用充气盖配件或将机器置于充满氩气的手套箱中进行实验。